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我国研制成功100G硅光收发芯片
点击次数:57 发布时间:2018-09-10

日前,“100G硅光收发芯片”正式投产使用,该产品由国家信息光电子创新中心,光迅科技公司,光纤通信技术和网络国家重点实验室、中国信息通信科技集团联合研制成功。实现100G/200G全集成硅基相干光收发集成芯片和器件的量产。

硅材料便于芯片加工和封装,并且来源丰富,成本低,机械性能、耐高温能力非常好。借助CMOS工艺平台实现硅光芯片的生产制造,可以有效解决我国高端光电子芯片制造能力薄弱等问题。但是,硅材料属间接带隙半导体材料,不存在线性电光效应和光电探测功能需要解决硅基光源加工和众多光元件集成的问题和调制器加工和锗硅外延生长的问题。加上硅光芯片对高端光器件的带宽、集成度、性能、功耗、可靠性和成本等要求极高,使得多年来硅光芯片一直是我国光通信行业的一只拦路虎。此次工信部主导成立国家信息光电子创新中心,及时推动四家单位通力合作实现了100G硅光芯片的产业化商用,不仅展现出硅光技术优势,也表明我国已经具备了硅光产品商用化设计的条件和基础。我们十分期待未来几年硅光技术在光通信系统中的大规模部署和应用,推动我国自主硅光芯片技术向超高速超大容量超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠方向发展。

 

图:商用100G/200G硅基相干光收发(a)芯片和(b)器件;实测硅光器件的(c) 128Gb/s PDM-QPSK和(d) 256Gb/s PDM-16QAM光星座图 

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